|
Задача. При пропускании тока через собственный полупроводник под действием поперечного магнитного поля происходит отклонение электронов и дырок к одной и той же боковой грани образца. Возникающее при этом холловское поле не может воспрепятствовать одновременному поперечному смещению электронов и дырок. Объясните, каким образом в полупроводнике достигается состояние динамического равновесия. Почему у боковых граней не происходит бесконечного накопления носителей зарядов?
|
|
Задача. Какие процессы происходят в полупроводнике при наличии на его поверхности зарядов? Нарисуйте энергетические диаграммы полупроводника n-типа при наличии на его поверхности: а) небольшого положительного заряда; б) положительного заряда большой плотности; в) небольшого отрицательного заряда; г) отрицательного заряда большой плотности. Вдоль горизонтальной оси откладывайте расстояние x, отсчитываемое вглубь от поверхности полупроводника.
|
|
Задача. На полупроводниковый фотодетектор площадью 0,5 мм2 падает поток монохроматического излучения (λ=0,565 мкм) плотностью 20 мкВт/м2. Определить: а) число электронно-дырочных пар, ежесекундно генерируемых в объеме полупроводника, полагая, что каждый фотон создает лишь одну пару носителей заряда; б) во сколько раз изменится скорость генерации, если плотность потока излучения уменьшится вдвое; в) как изменится скорость оптической генерации, если длина волны λ уменьшится вдвое?
|
|
Задача. Смесь газов состоит из аргона и азота, взятых при одинаковых условиях и в одинаковых объемах. Определить показатель адиабаты гамма такой смеси. Молярные массы компонентов равны соответственно МAr = 40 г/моль и MN = 14 г/моль.
|
|
Задача. 1 кг азота первоначально заключен в объеме 0,3 м3 з под давлением Па. Затем газ расширяется, в результате чего объем становится 1 м3, а давление Па. Определить приращение внутренней энергии газа.
|
Примеры решений задач
Готовые работы